SubChapter 7.8

Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung arus (switching), stabilisasi tegangan, dan modulasi sinyal.

2. Multimeter AC

Multimeter adalah sebuah alat ukur yang digunakan untuk mengukur besaran resistansi (hambatan), arus listrik, dan tegangan listrik.

3. Voltmeter AC

Voltmeter AC mengukur nilai efektif dari tegangan pada rangkaian arus bolak-balik.Alat yang berfungsi sebagai pengukur tegangan listrik selain multimeter dan basicmeter. Dapat mengukur tegangan AC dengan batas maksimal 250 V.

4. Resistor

Fungsi utama dari resistor adalah membatasi aliran arus. Resistor dapat menahan arus dan memperkecil besar arus. Besar resistansi (kemampuan menahan arus) resistor disesuaikan dengan kebutuhan perangkat elektronika.

5. Oscilloscope

Manfaat Osciloscope (CRO) adalah untuk mengukur besaran-besaran: tegangan, frekuensi, periode, bentuk sinyal dan beda fasa.

6. Ground

Ground juga berfungsi untuk menetralisir cacat (noise) yang disebabkan baik oleh daya yang kurang baik, ataupun kualitas komponen yang tidak standar. Sistem gronding pada peralatan kelistrikan dan elektronika adalah memberikan perlindungan pada seluruh sistem.

7.Sine [Power Supply]

Inverter pure sine wave ini adalah alat pengubah arus DC menjadi AC sehingga dapat dipergunakan untuk peralatan yang menggunakan listrik AC. Alat inverter daya ini memiliki konsumsi daya sebesar 3000 watt sehingga alat ini bisa digunakan untuk peralatan-peralatan listrik.

3. Dasar Teori [kembali]

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah suatu transistor dari bahan semikonduktor (silikon) dengan tingkat konsentrasi ketidakmurnian tertentu. Tingkat dari ketidakmurnian ini akan menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor MOSFET tipe-N (NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS). Bahan silicon digunakan sebagai landasan (substrat) dari penguras (drain), sumber (source), dan gerbang (gate). Selanjutnya transistor dibuat sedemikian rupa agar antara substrat dan gerbangnya dibatasi oleh oksida silikon yang sangat tipis. Oksida ini diendapkan di atas sisi kiri dari kanal, sehingga transistor MOSFET akan mempunyai kelebihan dibanding dengan transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), yaitu menghasilkan disipasi daya yang rendah.

MOSFET mode peningkatan (Enhancement Mode) terdiri dari MOSFET p channel (tipe-p) dan MOSFET n channel (tipe n). MOSFET mode peningkatan ini pada fisiknya tidak memiliki saluran antara drain (D) dan source (S) nya karena lapisan bulk meluas dengan lapisan silikon oksida (SiO2) pada terminal gate atau gerbang (G). Mode peningkatan MOSFET memerlukan tegangan Gerbang-Source (VGS) untuk mengalihkan perangkat ON. Mode pengingkatan MOSFET setara dengan saklar NO (Normally Open).

Berdasarkan saluran yang digunakan, MOSFET dibedakan menjadi tiga yaitu NMOS, PMOS dan CMOS.

4. Example [kembali]

Solution :

1. Plotting the Transfer Curve Two points are defined immediately as shown in Fig. 7.41 .

Solving for k , we obtain

k = I_D(on)/(V_GS(on) - V_GS _(Th))²

= 6 mA/(8 V - 3 V)²

= 6 × 10^-³/25 A/V²

= 0.24 × 10^-³ A/V²

For V_GS = 6 V (between 3 and 8 V):

I_D = 0.24 ×∆ 10^-³ (6 V - 3 V)² = 0.24 ×∆ 10^-³ (9)

= 2.16 mA

as shown on Fig. 7.41 . For V_GS = 10 V (slightly greater than V_GS(Th)),

ID = 0.24 × 10^-³ (10 V - 3 V)² = 0.24 × 10^-³ (49)

= 11.76 mA

For the Network Bias Line

V_GS = V_DD – I_DR_D

= 12 V - I_D(2 k-) Eq. (7.37): V_GS = V_DD = 12 V 0 | I_D =0 mA

Eq. (7.38): I_D = V_DD/R_D= 12 V/2 k- = 6 mA | VGS=0 V

The resulting bias line appears in Fig. 7.42 .

At the operating point,

I_DQ = 2.75 mA

V_GSQ = 6.4 V

V_DSQ = V_GSQ = 6.4 V

2. Example 7.11 Determine IDQ, VGSQ, and V DS for the network of Fig. 7.44 .

Solution :

Eq. (7.39): VG = R2VDD/R₁ + R₂

= (18 M-)(40 V)/22 M- + 18 M-

= 18 V

Eq. (7.40): VGS = VG - IDRS = 18 V - ID(0.82 k-)

When ID = 0 mA, VGS = 18 V - (0 mA)(0.82 k-) = 18 V

as appearing on Fig. 7.45 . When VGS = 0 V,

VGS = 18 V - ID(0.82 k-)

0 = 18 V - ID(0.82 k-)

ID = 18 V/0.82 k- = 21.95 mA

VGS(Th) = 5 V, ID(on) = 3 mA with VGS(on) = 10 V

Eq. (7.34): k = ID(on) /(VGS(on) - VGS(Th))²= 3 mA/(10 V - 5 V)

= 0.12 × 10^-3 A/V²

ID = k(VGS - VGS(Th))²

= 0.12 × 10^-3(VGS - 5)²

which is plotted on the same graph ( Fig. 7.45 ). From Fig. 7.45 , IDQ - 6.7 mA VGSQ = 12.5 V

Eq. (7.41): VDS = VDD - ID(RS + RD) = 40 V - (6.7 mA)(0.82 k-+ 3.0 k)

= 40 V - 25.6 V

= 14.4 V

5. Problem [kembali]

22. For the network of Fig. 7.94 , determine:

a. IDQ.

b. VGSQ and VDSQ.

c. V D and V S .

d. V DS .

answer :

23. For the voltage-divider configuration of Fig. 7.95 , determine:

a. IDQ and VGSQ.

b. V D and V S .

answer :

6. Soal Pilihan Ganda [kembali]

1. MOSFET menggabungkan bidang _______ & _________

a) efek medan & teknologi MOS

b) semikonduktor & TTL

c) teknologi mos & teknologi CMOS

d) tidak ada yang disebutkan

2. Pilih pernyataan yang benar

a) MOSFET adalah perangkat unipolar, tegangan terkontrol, dua terminal

b) MOSFET adalah perangkat bipolar, arus terkontrol, tiga terminal

c) MOSFET adalah perangkat unipolar, tegangan terkontrol, tiga terminal

d) MOSFET adalah perangkat bipolar, saat ini dikendalikan, dua perangkat terminal

3. Parameter pengendali di MOSFET adalah

a) Vds

b) Ig

c) Vgs

d) Is

7. Rangkaian Proteus [kembali]

gambar 7.37

8. Video [kembali]

9. Download File [kembali]

link unduh rangkaian

link unduh data sheet

link download video

[menuju awal]

Cari Blog Ini

Blog Haykal Aqsara 1

SubChapter 7.8

Komentar

Posting Komentar

Postingan populer dari blog ini